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授業の目標
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電子デバイスの高性能化，高信頼化，さらには新規の電子デバイスの開発を行うため，デバイス，材料システムについて何に着目し，何をなすべきかについての深い洞察力を学生に与えることを目標とする。
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到達目標
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Si半導体デバイス・集積回路、光伝導デバイスと超伝導デバイス、光機能材料・システム、光制御デバイスの基本を理解する。
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身につく能力
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授業の概要
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エレクトロニクスを支える半導体，情報記録，および光機能デバイスなどの電子デバイスは，デバイスそれ自体を含め，複雑多岐にわたる材料から成り立つ複合材料である。したがって，デバイスを構成する各種材料の役割，機能を電子・物性論的（基礎）およびシステム論的に講義し，上記目標を達成したい。講義は，各分野を専門とする教員がオムニバス形式で行う。
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授業の計画
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＜授業計画＞
第Ⅰ部（第1～3週）
・シリコン半導体デバイス技術
・シリコン半導体集積回路・システム技術
第Ⅱ部（第4～7週）
・熱電変換デバイスの基礎
・光電変換デバイスの基礎
・超電導デバイスの基礎
第Ⅲ部（第8～11週）
・光機能材料システム論
・光デバイスシステム論
第Ⅳ部（第12～15週）
・有機発光、光制御デバイスシステム論
・有機ディスプレイデバイスシステム論
（分担教員：小谷光司、山口博之、本間道則）
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授業時間外学修の指示
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成績評価の方法
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提出レポート内容（80%)に講義への取組状況（20%）を加味して総合的に評価する。
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テキスト・参考書等
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履修上の留意点
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資料
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備考
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